由于縱磁場(chǎng)觸頭和CuCr觸頭材料的使用，大大減少了滅弧室管徑。真空滅弧室尺寸的減小是真空技術(shù)、真空工藝、真空滅弧室設(shè)計(jì)發(fā)展的主要結(jié)果。而真空滅弧室管徑的縮小，結(jié)果使真空斷路器的整體尺寸大大減小，從而使真空斷路器趨于小型化。采用先進(jìn)的一次封排工藝，提高產(chǎn)量和質(zhì)量一次封排工藝是制造真空滅弧室的先進(jìn)工藝。20世紀(jì)80年代初，英、美等國(guó)已將一次封排工藝用于真空滅弧室的大批量生產(chǎn)。英國(guó)GEC公司和美國(guó)西屋公司最早采用一次封排工藝。現(xiàn)在東芝公司、西門子公司、ABB Calor Emag等公司也已采用一次封排工藝。

　　一次封排工藝相比常規(guī)工藝大大簡(jiǎn)化了工藝流程，不僅效率高，而且質(zhì)量好，特別適合大批量生產(chǎn)?？傊?，一次封排工藝將焊接、除氣、封裝、排氣等工藝步驟在真空爐中一次完成，大大簡(jiǎn)化了制造工藝，提高了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和一致性。國(guó)內(nèi)寶光集團(tuán)現(xiàn)已具備年產(chǎn)5萬(wàn)只一次封排真空滅弧室能力。真空滅弧室對(duì)外部作用具有良好的保護(hù)性。其殼體主要由氧化鋁陶瓷制作。由于它經(jīng)受了高溫預(yù)處理，不受溫度變化的影響。

　　縮小滅弧室管徑，減少零件數(shù)和提高可靠性縮小滅弧室管徑，減少零件數(shù)，就能降低造價(jià)，因?yàn)椴牧腺M(fèi)占滅弧室造價(jià)的40～50%。 在真空斷路器中，不產(chǎn)生分解物，因?yàn)樵谶@里開(kāi)斷時(shí)只產(chǎn)生金屬蒸汽。真空滅弧室絕對(duì)密封釬焊，不會(huì)與環(huán)境相互影響。污穢、灰塵及潮氣均不能進(jìn)入滅弧室，這就避免了任何的氧化。滅弧室的所有材料均以潔凈的狀態(tài)保持在整個(gè)壽命期間。 機(jī)電一體化用在開(kāi)關(guān)設(shè)備上，把計(jì)算機(jī)加入機(jī)械系統(tǒng)，使開(kāi)關(guān)系統(tǒng)有了“大腦”，再加入“傳感器”采集信息，用光纖傳導(dǎo)信息，使開(kāi)關(guān)系統(tǒng)有了“知覺(jué)”，大腦根據(jù)知覺(jué)作出判斷與決定，使系統(tǒng)有了“智能”。因此現(xiàn)代二次技術(shù)使之開(kāi)關(guān)設(shè)備智能化。

　　真空斷路器的二次技術(shù)從傳統(tǒng)技術(shù)轉(zhuǎn)向現(xiàn)代技術(shù)?，F(xiàn)代二次技術(shù)采用了機(jī)電一體化技術(shù)。機(jī)電一體化技術(shù)是建立在微電子技術(shù)、信息傳感技術(shù)、計(jì)算機(jī)控制技術(shù)、伺服驅(qū)動(dòng)技術(shù)及精密機(jī)械技術(shù)等高度發(fā)展之上的綜合技術(shù)。開(kāi)關(guān)設(shè)備的智能化，可通過(guò)連續(xù)檢測(cè)，確切了解運(yùn)行狀況，作趨勢(shì)分析，識(shí)別存在的故障，從而采取必要的措施，防患于未然，改以往的“定期檢修”為“狀態(tài)檢修”，從而提高設(shè)備的利用率和節(jié)省檢修費(fèi)用。

　　在斷路器二次現(xiàn)代化方面各大公司都作出了努力，歐洲幾家公司卓有成效。1996年AEG T&D公司在漢諾威博覽會(huì)上展出了DPI型真空斷路器。裝在側(cè)面操動(dòng)機(jī)構(gòu)內(nèi)有集成保護(hù)裝置，其中包括一只微處理器和一只低能量脫扣器。ABB Calor Emag公司最新開(kāi)發(fā)出REC580型保護(hù)與控制裝置，它屬于模塊式結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)裝置相比，這種現(xiàn)代控制和保護(hù)裝置擴(kuò)大了功能，并降低費(fèi)用約25%。西門子公司于1985年開(kāi)發(fā)出第一個(gè)以微處理器為中心的數(shù)字保護(hù)裝置，1990年開(kāi)發(fā)出第二代產(chǎn)品。

　　真空斷路器之所以為眾多廠家青睞，除產(chǎn)量大、覆蓋面廣之外，首要原因是由于真空技術(shù)、真空工藝、滅弧室制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，使真空斷路器具有優(yōu)異的電性能和機(jī)械性能，能滿足不同用戶的不同要求。另一個(gè)重要原因，是它對(duì)環(huán)境友好，在人們普遍注重環(huán)保的今天，這點(diǎn)尤為重要。